存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。當(dāng)前，雖然我國(guó)缺乏大規(guī)模存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠家，但全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)放緩，為我國(guó)實(shí)現(xiàn)趕超、縮小差距提供了難得機(jī)遇。未來(lái)，隨著武漢光谷國(guó)家存儲(chǔ)器基地逐步建成，我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將再上新臺(tái)階。
2016年年底，總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢光谷開工。該項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城，將建設(shè)3座3D NAND Flash FAB廠房。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn);2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。目前一期建設(shè)的80億美元資金已全部到位。
國(guó)家存儲(chǔ)器基地動(dòng)工建設(shè)，標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，這是“國(guó)家戰(zhàn)略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運(yùn)作”新模式的成功探索。未來(lái)，這里將建起“航母級(jí)芯片工廠”。
中國(guó)玩家來(lái)了
據(jù)介紹，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，總占地面積1968畝。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售于一體，建成后還將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)發(fā)展。
存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展，存儲(chǔ)芯片在整個(gè)芯片市場(chǎng)占比超過(guò)25%，未來(lái)5年內(nèi)將達(dá)到45%左右。當(dāng)前全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)放緩，為我國(guó)實(shí)現(xiàn)趕超、縮小差距提供了難得機(jī)遇。
此前，我國(guó)沒有大規(guī)模存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠家，由于技術(shù)難度高、投資總量大，目前全球僅有三星、東芝、美光、海力士四大“玩家”能生產(chǎn)主流存儲(chǔ)器。要贏得存儲(chǔ)芯片制造的競(jìng)爭(zhēng)，就必須建起“航母級(jí)”芯片工廠。核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元，相當(dāng)于每平方米面積的核心廠房，都是用300張一百美元面值的鈔票堆出來(lái)的。
鐘小姐
